NGK vyvinula GaN wafer pro LED s ultra vysokým jasem

NGK_led_200lmw
 
NGK Insulators oznámila, že vyvinula galium nitrid wafer s dvojnásobnou účinností ve srovnání s konvečními materiály. Test proběhl ve výzkumném ústavu mimo společnost a zkouška prokázala světelnou účinnost 200 lm/W, což je dvakrát tak efektivní jako ty na současném trhu. Nový wafer také snižuje teplo LED a prodlužuje životnost LED diod. První vzorky budou dostupné v tomto roce.